•中国の蘇州に本社（ISO9000認定）を置くInnogration Technology は、RFパワー 半導体デバイス、モジュール、およびサブシステムアセンブリの設計と製造の専門 ファブレス半導体メーカ。
•LDMOS や GaN を含む複数の RF パワー半導体を垂直統合し、またGaAs および VDMOS を加えてデバイスやアプリケーション領域を広げる。
•完全自動化された専門的な後工程組立ラインを所有し、コスト低減に優位。
•2018年よりSTMicroelectronics(NYSE: STM) にLDMOSのライセンス供与。
•エネルギー、ISM、モバイル無線通信などの市場にRFパワー半導体で貢献。
| Freq (MHz) | Pin (dBm) | Psat (dBm) | Psat (W) | IDS (A) | Gain (dB) | Eff (%) |
| 2445 | 40.3 | 56.2 | 414 | 11.2 | 15.9 | 74 |
| 2450 | 40.4 | 56.12 | 410 | 11.0 | 15.7 | 74 |
| 2455 | 40.5 | 56.12 | 410 | 10.8 | 15.6 | 75 |
