Innogration

RFパワー半導体 GaN, LDMOS, VDMOS, GaAs

•中国の蘇州に本社(ISO9000認定)を置くInnogration Technology は、RFパワー 半導体デバイス、モジュール、およびサブシステムアセンブリの設計と製造の専門 ファブレス半導体メーカ。

•LDMOS や GaN を含む複数の RF パワー半導体を垂直統合し、またGaAs および  VDMOS を加えてデバイスやアプリケーション領域を広げる。

•完全自動化された専門的な後工程組立ラインを所有し、コスト低減に優位。

•2018年よりSTMicroelectronics(NYSE: STM) にLDMOSのライセンス供与。

•エネルギー、ISM、モバイル無線通信などの市場にRFパワー半導体で貢献。

2.45GHz 400W 高効率 75% GaN

Freq
(MHz)
Pin
(dBm)
Psat
(dBm)
Psat
(W)
IDS
(A)
Gain
(dB)
Eff
(%)
244540.356.241411.215.974
245040.456.1241011.015.774
245540.556.1241010.815.675
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